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龙图腾网恭喜济南市半导体元件实验所申请的专利一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111339169.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法是由孙德福;李东华设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法，所述终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P‑型半导体VLD区的一侧相互连接，P‑型半导体VLD区的结深大于P型半导体主结的结深；相对于传统半导体终端结构，本发明可实现更稳定的击穿电压、更低的漏电水平和更短的终端尺寸，且不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。

本发明授权一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有横向变掺杂的半导体终端结构，其特征在于： 包括： N+型半导体衬底； N-型半导体漂移区，设于所述N+型半导体衬底的上表面，包括P型半导体主结、P型半导体场限环、P-型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P型半导体场限环与P-型半导体VLD区的一侧相互连接，P-型半导体VLD区与N+型半导体场限环之间有间隙，P-型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体主结及P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度，P-型半导体VLD区的结深大于P型半导体主结的结深； P-型半导体VLD区包括多个P-型子VLD区组成，各个P-型子VLD区的深度沿第一方向逐渐加深，第一方向为N-型半导体漂移区的宽度方向； 绝缘介质层，设于所述N-型半导体漂移区的上表面，分别与P型半导体主结、P型半导体场限环的部分上表面和N+型半导体场限环的部分上表面接触； 阳极，自P型半导体主结的上表面向外延伸，覆盖绝缘介质层的一侧面和部分上表面； 金属场板，与阳极相对设置，自N+型半导体场限环的上表面向外延伸，覆盖绝缘介质层的另一侧面和部分上表面； 阴极，设于N+型半导体衬底的底面。

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