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龙图腾网恭喜无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111302530.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法。该方法包括：获取既定结构参数和初始待定结构参数；提取晶体管的峰值电场路径；在峰值电场路径上截取若干个采样点；基于若干个采样点的碰撞电离积分，生成碰撞电离积分分布曲线；判断碰撞电离积分分布曲线中的目标电离积分值的数量是否小于目标阈值，若是，则对初始待定结构参数进行更新后重新执行判断碰撞电离积分分布曲线中的目标电离积分值的数量是否小于目标阈值的步骤，直至目标电离积分值的数量大于或等于目标阈值；若否，则将当前待定结构参数作为目标结构参数。本申请提供的方案，能够有效地平衡比导通电阻与击穿电压的矛盾关系，从而有效地降低晶体管的静态功耗。

本发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的结构参数优化方法，其特征在于，包括： 获取既定结构参数和初始待定结构参数； 提取晶体管的峰值电场路径；所述峰值电场路径为晶体管耐压区中电场峰值位置的连线； 在所述峰值电场路径上截取若干个采样点； 基于所述若干个采样点的碰撞电离积分，生成碰撞电离积分分布曲线； 判断所述碰撞电离积分分布曲线中的目标电离积分值的数量是否小于目标阈值，若是，则对所述初始待定结构参数进行更新后重新执行判断所述碰撞电离积分分布曲线中的目标电离积分值的数量是否小于目标阈值的步骤，直至所述目标电离积分值的数量大于或等于目标阈值；若否，则将当前待定结构参数作为目标结构参数； 所述目标电离积分值与预设电离积分值的误差小于预设误差阈值；所述目标结构参数为在满足既定结构参数的情况下，使得晶体管的击穿电压满足击穿电压要求的待定结构参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡先瞳半导体科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。