恭喜无锡华瑛微电子技术有限公司温子瑛获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡华瑛微电子技术有限公司申请的专利半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111074547.2，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法是由温子瑛设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体晶圆边缘表面处理装置，其包括含具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室，具有第二支撑区的上腔室以及第一支撑区、第二支撑区及其边缘区域形成的第一通道。上腔室与下腔室闭合，使得晶圆被放置在第一支撑区和第二支撑区之间。第一通道提供第一空间来流动一种或多种化学流体用于腐蚀晶圆边缘区域。上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐。本发明能够实现对半导体晶圆外缘的处理。
本发明授权半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理装置，其特征在于：其包括： 具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室； 具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间； 第二支撑区的边缘区域形成第一通道，并且一种或多种化学流体通过位于上腔室的第一通孔在第一空间和装置外部之间流通，第一支撑区的边缘区域形成第二通道，提供第二空间来流通用于腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体，下腔室提供第二通孔用来实现一种或多种化学流体在下腔室的第二空间与装置外部之间的流通； 其中上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐， 其中第一槽道位于下腔室的边缘区域，并提供流动一种或多种化学流体的第一槽道空间，同时在上腔室和下腔室之间形成一个过道，该过道连接第一空间和第一槽道空间，使得一种或多种化学流体通过该过道从第一空间流入第一槽道空间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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