恭喜台湾积体电路制造股份有限公司王菘豊获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110806301.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王菘豊;张旭凯;黄治融;董彦佃;朱家宏;沈泽民;林斌彦设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极漏极SD区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在SD区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和SD区域之间的界面处。接触结构包括设置在SD区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属WFM硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 鳍结构，设置在所述衬底上； 栅极结构，设置在所述鳍结构上； 源极漏极区域，邻近所述栅极结构设置； 接触结构，设置在所述源极漏极区域上，其中，所述接触结构包括设置在所述源极漏极区域上的三元化合物层、设置在所述三元化合物层上的功函金属硅化物层和设置在所述功函金属硅化物层上的接触插塞；以及 偶极子层，设置在所述三元化合物层与所述源极漏极区域之间和所述功函金属硅化物层与所述源极漏极区域之间的界面处， 其中，所述功函金属硅化物层包括过渡金属掺杂剂，其中，所述过渡金属掺杂剂的峰值掺杂剂浓度与所述偶极子层所在的所述界面间隔开距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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