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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110804892.0，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体存储装置是由铃木拓也;伊豫田健设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种能够较好地制造的半导体存储装置。本发明的实施方式的半导体存储装置具备具有排列于第1方向的第1区域及第2区域的衬底。第1区域具备：多个第1字线层，积层于第2方向；第1半导体层，沿第2方向延伸并具有与多个第1字线层对向的外周面；及第1电荷蓄积膜，设置于多个第1字线层与第1半导体层之间。第2区域具备：多个第1字线层的一部分，积层于第2方向；多个第1绝缘层，在第3方向上与多个第1字线层分开并积层于第2方向；第1接点，沿第2方向延伸并具有与多个第1绝缘层对向的外周面；第2半导体层，设置于多个第1字线层及多个第1绝缘层之间并沿第1方向及第2方向延伸；及第2电荷蓄积膜，设置于多个第1绝缘层与第2半导体层之间。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其具备： 具有排列于第1方向的第1区域及第2区域的衬底；且 所述第1区域具备： 多个第1字线层，积层于与所述衬底的表面交叉的第2方向； 多个第2绝缘层，设置于所述多个第1字线层之间； 第1半导体层，沿所述第2方向延伸，具有与所述多个第1字线层对向的外周面；及 第1电荷蓄积膜，设置于所述多个第1字线层与所述第1半导体层之间；且 所述第2区域具备： 第1板，沿所述第1方向及所述第2方向延伸； 第2板，沿所述第1方向及所述第2方向延伸，从所述第1板沿与所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向与所述第1板分开； 第3板，设置于所述第1板与所述第2板之间，沿所述第1方向及所述第2方向延伸，且所述第1方向上的长度比所述第1板短； 第4板，设置于所述第2板与所述第3板之间，沿所述第1方向及所述第2方向延伸，且所述第1方向上的长度比所述第1板短； 所述多个第2绝缘层，设置于所述第3板与所述第4板之间； 多个第1绝缘层，设置于在所述第3板与所述第4板之间设置的所述多个第2绝缘层之间；及 第1接点，沿所述第2方向延伸，并具有与所述多个第1绝缘层及所述多个第2绝缘层对向的外周面；且 其中，所述多个第1字线层与所述多个第2绝缘层设置于所述第1板与所述第3板之间、所述第2板与所述第4板之间； 所述第3板具有：第2半导体层，设置于所述多个第1字线层及所述多个第1绝缘层之间，并沿所述第1方向及所述第2方向延伸；及第2电荷蓄积膜，设置于所述多个第1绝缘层、与所述第2半导体层之间； 所述第1绝缘层与所述第1字线层在所述第2区域直接连接； 不存在将所述第3板与所述第4板连接、并沿所述第2方向及所述第3方向延伸的板部件。

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