恭喜悟勞茂材料公司李炳一获国家专利权
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龙图腾网恭喜悟勞茂材料公司申请的专利OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110500020.5，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模是由李炳一;金奉辰设计研发完成，并于2021-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模在说明书摘要公布了：本发明涉及OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。根据本发明的掩模为形成有多个掩模图案且用于形成OLED像素的掩模，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状的曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。
本发明授权OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模在权利要求书中公布了：1.一种掩模支撑模板，用于支撑OLED像素形成用掩模，该掩模支撑模板包括： 模板； 临时粘合部，其形成在模板上；以及 掩模，其通过夹设临时粘合部粘合在模板上且形成有多个掩模图案， 其中，临时粘合部上还形成有隔板绝缘部，掩模通过夹设临时粘合部和隔板绝缘部粘合在模板的上部面， 掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度， 第一掩模图案的两侧面具有凹状的曲率，第二掩模图案的两侧面具有凸状的曲率， 第一掩模图案和第二掩模图案利用湿蚀刻形成，对第二掩模图案进行湿蚀刻时，蚀刻液在隔板绝缘部的露出部分沿着侧面方向进行蚀刻，使第二掩模图案的下部宽度大于上部宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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