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龙图腾网恭喜索尼集团公司申请的专利成像元件和成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180007406.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权成像元件和成像装置是由菅野雅人;高桥千明;齐藤阳介设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本成像元件和成像装置在说明书摘要公布了：根据本公开实施方案的成像元件设置有：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极相对配置；有机层，其设置在第一电极和第二电极之间，并且至少包括光电转换层；第一半导体层，其设置在第二电极和有机层之间，并且包含含碳化合物和无机化合物中的至少一种，含碳化合物的电子亲和力大于第一电极的功函数，无机化合物的功函数大于第一电极的功函数；和第二半导体层，其设置在第二电极和第一半导体层之间，并且最高占据分子轨道HOMO能级与第二电极的费米能级之差的绝对值B大于或等于从光学带隙算出的第一最低未占据分子轨道LUMO能级与费米能级之差的绝对值A，或者在费米能级附近具有态密度相对于HOMO能级为110000以上的带隙内能级。

本发明授权成像元件和成像装置在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，包括： 第一电极； 第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对配置； 有机层，所述有机层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且至少包括光电转换层； 第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第二电极和所述有机层之间，并且包含含碳化合物和无机化合物中的至少一种，所述含碳化合物的电子亲和力大于所述第一电极的功函数，所述无机化合物的功函数大于所述第一电极的功函数；和 第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第二电极和所述第一半导体层之间，并且HOMO能级与所述第二电极的费米能级之差的绝对值B大于或等于从光学带隙算出的第一LUMO能级与所述费米能级之差的绝对值A，或者在所述费米能级附近具有态密度相对于所述HOMO能级为110000以上的带隙内能级。

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