恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011416151.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制造方法是由林士尧;高魁佑;林志翰;张铭庆;陈昭成设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法，包括：在半导体区域之上沉积虚设栅极电介质层；沉积虚设栅极电极层；以及执行第一蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的上部以形成虚设栅极电极的上部。方法还包括在虚设栅极电极的上部的侧壁上形成保护层，并且执行第二蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的下部以形成虚设栅极电极的下部。然后使用保护层作为蚀刻掩模来执行第三蚀刻工艺以蚀刻虚设栅极电极的下部。虚设栅极电极通过第三蚀刻工艺而呈锥形。移除保护层，并且利用替换栅极电极来替换虚设栅极电极。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，包括： 在半导体区域之上沉积虚设栅极电介质层； 在所述虚设栅极电介质层之上沉积虚设栅极电极层； 执行第一蚀刻工艺，其中，所述虚设栅极电极层的上部被蚀刻以形成虚设栅极电极的上部； 在所述虚设栅极电极的上部的侧壁上形成保护层； 执行第二蚀刻工艺，其中，所述虚设栅极电极层的下部被蚀刻以形成所述虚设栅极电极的下部； 在所述第二蚀刻工艺之后，形成附加蚀刻掩模以覆盖附加虚设栅极电极； 在所述附加蚀刻掩模形成之后，使用所述保护层作为蚀刻掩模来执行第三蚀刻工艺以蚀刻所述虚设栅极电极的下部，其中，所述虚设栅极电极通过所述第三蚀刻工艺而呈锥形； 在所述第三蚀刻工艺之后，移除所述附加蚀刻掩模； 移除所述保护层；以及 利用替换栅极电极来替换所述虚设栅极电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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