买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海瀚薪科技有限公司申请的专利碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011344322.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管是由洪建中;朱国廷;李隆盛;李传英设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管。该半导体场效应晶体管包括一碳化硅半导体基底及一沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，该场效应晶体管包括一垂直地设置并且沿一第一水平方向穿过的沟槽、一形成于该沟槽的一内壁面的栅极绝缘层、一形成于该栅极绝缘层上的第一多晶栅极、一形成于该沟槽之外且位于该沟槽下方的屏蔽区以及一设置于该沟槽的一底壁和该屏蔽区之间的场板，该场板具有一半导体掺杂且侧向地接触一电流扩散层以在施加一反向偏压时经由该场板空乏掉该电流扩散层的电子。

本发明授权碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体元件，其特征在于包括： 一第一碳化硅半导体层，具有一第一导电类型； 一第二碳化硅半导体层，具有该第一导电类型，该第二碳化硅半导体层包括一设置于该第一碳化硅半导体层上的漂移层以及一设置于该漂移层上的电流扩散层； 一第三碳化硅半导体层，具有一第二导电类型，设置于该第二碳化硅半导体层的一上表面上； 一第一半导体区域，具有该第一导电类型，设置于该第三碳化硅半导体层之中； 一沟槽，垂直地穿透该第一半导体区域以及该第三碳化硅半导体层而至该第二碳化硅半导体层，且沿一第一水平方向延伸； 一第二半导体区域，具有该第二导电类型，该第二半导体区域包括多条沿一第二水平方向延伸且形成于该第三碳化硅半导体层的第一部分以及至少一设置于位在该沟槽下方的该第二碳化硅半导体层之中的第二部分，该第一部分和该第二部分彼此邻接，第二半导体区域作为拾取部； 一栅极部，埋入于该沟槽之中，包括一形成于该沟槽的一壁面的栅极绝缘层以及一形成于该栅极绝缘层上的多晶栅极； 一第三半导体区域设置于该沟槽之外且具有该第二导电类型，包括一至少部分地形成于该第二碳化硅半导体层之中且位于该沟槽和该第二半导体区域的该第二部分之间的场板，该场板侧向地接触该电流扩散层，形成侧向接面，在碳化硅半导体元件施加一反向偏压时，经由场板空乏掉电流扩散层的电子； 一屏蔽区，具有该第二导电类型，该屏蔽区位在该沟槽下方的该第二碳化硅半导体层之中，且位于该场板之下； 以及一金属电极，与该第一半导体区域和该栅极部接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海瀚薪科技有限公司，其通讯地址为：201703 上海市青浦区沪青平公路2855弄1-72号B座12层B区1225室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。