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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利发光元件和测距装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080053113.1，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权发光元件和测距装置是由小林高志;若林和弥;木村基;大岩达矢设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光元件和测距装置在说明书摘要公布了：[问题]提供一种发光元件和测距装置，该发光元件和测距装置具有垂直腔面发射激光器结构并且适合于长距离光照射。[解决方案]涉及本技术的发光元件设置有多个光发射部、第一电极端子和第二电极端子。多个光发射部是垂直腔面发射激光器元件并且设置有第一电极和第二电极，其中，在电流从第一电极流向第二电极时发光的光发射部一维或二维地沿着垂直于从光发射部射出的光的光轴的方向布置。第一电极端子电连接到第一电极。第二电极端子电连接到第二电极。从第一电极端子穿过多个光发射部中的一个光发射部到第二电极端子的电流路径的电阻与从第一电极端子穿过多个光发射部中的另一光发射部到第二电极端子的电流路径的电阻不同。

本发明授权发光元件和测距装置在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，包括： 多个光发射器，一维或二维地布置在垂直于与从所述多个光发射器中的每个光发射器出射的光相对应的光轴的方向上，所述多个光发射器中的每个光发射器是垂直腔面发射激光器元件，所述多个光发射器中的每个光发射器包括第一电极和第二电极，所述多个光发射器中的每个光发射器由于从所述第一电极流向所述第二电极的电流而发光； 第一电极端子，电连接到所述第一电极；以及 第二电极端子，电连接到所述第二电极，其中， 从所述第一电极端子穿过所述多个光发射器中的一个光发射器到所述第二电极端子的电流路径表现出与从所述第一电极端子穿过所述多个光发射器中的另一光发射器到所述第二电极端子的电流路径的电阻不同的电阻， 其中，从平行于所述光轴延伸的方向看，所述发光元件具有中心区域和周围区域，所述中心区域包括处于所述多个光发射器的内侧部分的光发射器，所述周围区域包括处于所述多个光发射器的外围部分的光发射器，并且 连接所述第一电极端子与包括在所述多个光发射器中且处于所述中心区域的所述光发射器的布线表现出比连接所述第一电极端子与包括在所述多个光发射器中且处于所述周围区域的所述光发射器的所述布线更高的电阻， 并且其中，所述多个光发射器以多条直线的方式布置，并且所述多条直线中的每条直线中的所述多个光发射器中的光发射器连接到多条所述布线中的对应的一条布线，多条所述布线中的每条布线从所述第一电极延伸。

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