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龙图腾网恭喜英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112054023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010473671.5，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权半导体器件是由F·赫勒;C·法赫曼;W·凯因德尔;H·韦伯设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，其包括：半导体主体，其包括第一表面和在垂直方向上与第一表面相对的第二表面；以及多个晶体管单元，其至少部分集成在半导体主体中。多个晶体管单元中的每个包括：至少两个源极区；第一栅电极和第二栅电极，其在第一水平方向上彼此间隔开，第一栅电极和第二栅电极中的每个都与连续主体区相邻布置，并且与连续主体区介电绝缘；漂移区，其通过主体区与至少两个源极区分隔开；以及至少三个接触插塞，其在垂直方向上从主体区朝向源电极延伸，其中，至少三个接触插塞被相继布置在第一栅电极和第二栅电极之间，并且其中，仅分别最靠近第一栅电极和第二栅电极布置的两个最外接触插塞直接邻接源极区的至少一个。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体主体100，所述半导体主体100包括第一表面101和在垂直方向y上与所述第一表面101相对的第二表面102； 多个晶体管单元30，所述多个晶体管单元30至少部分集成在所述半导体主体100中，所述多个晶体管单元30中的每个包括： 至少两个源极区311、312， 第一栅电极331和第二栅电极332，所述第一栅电极331和所述第二栅电极332在第一水平方向x上彼此间隔开，所述第一栅电极331和所述第二栅电极332中的每个与连续主体区32相邻布置，并且与所述连续主体区32介电绝缘， 漂移区35，所述漂移区35通过所述主体区32与所述至少两个源极区311、312分隔开，以及 至少三个接触插塞421、422、423，所述至少三个接触插塞421、422、423在所述垂直方向y上从所述主体区32朝向源电极41延伸，其中，所述至少三个接触插塞421、422、423相继布置在所述第一栅电极331和所述第二栅电极332之间，并且其中，仅分别最靠近所述第一栅电极331和所述第二栅电极332布置的两个最外接触插塞421、423直接邻接所述源极区311、312中的至少一个， 其中，所述至少三个接触插塞421、422、423中的每个是细长接触插塞，并且所述接触插塞421、422、423中的至少一个在第二水平方向z上被分成至少两个独立区段。

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