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龙图腾网恭喜深圳市明微电子股份有限公司申请的专利LDMOS器件以及LED驱动芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010255331.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件以及LED驱动芯片是由方绍明;戴文芳;李照华设计研发完成，并于2020-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件以及LED驱动芯片在说明书摘要公布了：一种LDMOS器件以及LED驱动芯片，其中，LDMOS器件通过将场氧化层布置于漂移区的上表面，且将电阻条布置于场氧化层的上表面，电阻条与漂移区互不接触，并将电阻条的第一端和漏电极连接且电阻条的第二端靠近LDMOS器件的源极，从而实现了在LDMOS器件集成电阻条的同时，避免了电阻条对漂移区的影响，保证了漂移区各点的电场分布均匀，避免了LDMOS击穿电压的降低，解决了传统的技术方案中存在的无法提供一种集成漂移区电阻的LDMOS器件问题。LED驱动芯片通过加入恒功率电路和内部集成了电阻的LDMOS器件，在实现对光源的恒功率调节的同时，节省了LED驱动芯片以及其所在的系统的空间。

本发明授权LDMOS器件以及LED驱动芯片在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，形成在所述半导体衬底上表面的漂移区； 场氧化层，所述场氧化层布置于所述漂移区的上表面；以及 电阻条，所述电阻条布置于所述场氧化层的中间区段的上表面，所述电阻条的第一端与所述LDMOS器件的漏电极连接，所述电阻条的第二端靠近所述LDMOS器件的源极； 还包括： 第一掺杂区，所述第一掺杂区为不同于第一导电类型的第二导电类型，所述第一掺杂区形成于所述漂移区的上表面，且与所述场氧化层相贴； 第二掺杂区，所述第二掺杂区为第一导电类型，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区间隔地形成于所述漂移区的上表面，且与所述场氧化层错位相对；所述第二掺杂区与所述场氧化层相邻设置且位于场氧化层的下方，所述第二掺杂区的上表面与所述第一掺杂区的上表面位于同一平面上； 所述电阻条的第一端布置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的区域上方。

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