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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010211167.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括中心区域和环绕中心区域的晶边区域；在基底上形成目标图形层，位于中心区域的目标图形层为器件目标图形层，位于晶边区域的目标图形层为伪目标图形层；在伪目标图形层中掺杂离子，形成掺杂图形层，掺杂图形层的被刻蚀难度小于器件目标图形层的被刻蚀难度；去除掺杂图形层。本发明实施例在晶边区域中的所述伪目标图形层中掺杂离子，形成掺杂图形层，所述掺杂图形层的被刻蚀难度小于所述器件目标图形层的被刻蚀难度；从而去除所述掺杂图形层的过程中，器件目标图形层的损伤较小，有利于提高半导体结构电学性能的均一性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括中心区域和环绕所述中心区域的晶边区域； 在所述基底上形成已图形化的目标图形层，位于所述中心区域的所述目标图形层为器件目标图形层，位于所述晶边区域的所述目标图形层为伪目标图形层，在所述基底上形成目标图形层的步骤包括：在所述基底上形成目标材料层；在所述目标材料层上形成光刻胶材料层；对所述中心区域的光刻胶材料层和残留在所述晶边区域的光刻胶材料层进行图形化处理，形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述目标材料层，剩余的所述目标材料层作为所述目标图形层； 在形成已图形化的所述目标图形层之后，在所述伪目标图形层中掺杂离子，形成掺杂图形层，所述掺杂图形层的被刻蚀难度小于所述器件目标图形层的被刻蚀难度； 去除所述掺杂图形层； 以所述器件目标图形层为掩膜刻蚀所述基底，形成衬底和位于所述衬底上的底部图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。