恭喜杭州士兰微电子股份有限公司冯荣杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111370403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010196369.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由冯荣杰设计研发完成，并于2020-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一外延层，位于衬底上；第二外延层，位于第一外延层上；高压器件，位于第一外延层与第二外延层中；低压器件，位于第二外延层中；以及第一隔离区，位于第一外延层与第二外延层中，第一隔离区用于隔离高压器件和低压器件。本申请通过将低压器件制作在第二外延层中，大幅度减小了低压器件的尺寸，从而使芯片的整体面积显著缩小。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一外延层，位于所述衬底上； 第二外延层，位于所述第一外延层上； 高压器件，位于所述第一外延层与所述第二外延层中； 低压器件，位于所述第二外延层中；以及 第一隔离区，位于所述第一外延层与所述第二外延层中，所述第一隔离区用于隔离所述高压器件和所述低压器件， 其中，所述低压器件包括第二埋层， 所述第一隔离区包括：上隔离区，所述低压器件位于所述上隔离区中；以及下隔离区，位于所述上隔离区下方，并分别与所述上隔离区以及所述衬底相连。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州士兰微电子股份有限公司，其通讯地址为：310012 浙江省杭州市黄姑山路4号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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