恭喜半导体组件工业公司J·P·甘比诺获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体组件工业公司申请的专利背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110634896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910526025.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器是由J·P·甘比诺;R·热罗姆;D·T·普里斯设计研发完成，并于2019-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本发明题为“背照式图像传感器”。本发明提供了图像传感器设备，所述图像传感器设备的实施方式可以包括穿透硅通孔TSV，所述穿透硅通孔在图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫。所述金属着落垫可以在接触层内。所述设备可以包括TSV边缘密封环，所述TSV边缘密封环围绕在所述接触层中的所述TSV的一部分并且从所述接触层的第一表面延伸到所述接触层中达到与所述TSV的深度共同延伸的深度。
本发明授权背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器设备，包括： 穿透硅通孔TSV，所述穿透硅通孔在所述图像传感器设备的后侧中形成并且通过管芯的材料延伸到金属着落垫，其中所述金属着落垫在接触层内； TSV边缘密封环，所述TSV边缘密封环在所述接触层中围绕所述TSV的一部分并且仅从所述接触层的第一表面延伸到所述接触层中达到与所述TSV的深度共同延伸的深度； 钉扎层，所述钉扎层覆盖所述TSV的一个或多个侧壁和所述管芯的第一表面；和 抗反射层，所述抗反射层直接耦接在所述钉扎层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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