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恭喜索尼公司;索尼半导体解决方案公司定荣正大获国家专利权

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龙图腾网恭喜索尼公司;索尼半导体解决方案公司申请的专利固态摄像元件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112119500B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980031496.X,技术领域涉及:H10F39/00;该发明授权固态摄像元件及其制造方法是由定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介设计研发完成,并于2019-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

固态摄像元件及其制造方法在说明书摘要公布了:[问题]提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法,固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时,能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。[方案]提供了这样的固态摄像元件,其包括:半导体基板;第一光电转换单元,设置在半导体基板上;及控制单元,被设置成与第一光电转换单元层叠,且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管,其中,第一光电转换单元包括:第二电极;第一光电转换膜,设置在第二电极的上方,并且将光转换为电荷;以及第一电极,设置在第一光电转换膜上,多个像素晶体管包括放大晶体管,放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出,并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。

本发明授权固态摄像元件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种固态摄像元件,其包括: 半导体基板; 第一光电转换单元,其设置在所述半导体基板上;以及 控制单元,其设置成与所述第一光电转换单元层叠,并且包括用于控制所述第一光电转换单元的多个像素晶体管,其中, 所述第一光电转换单元包括: 第二电极, 第一光电转换膜,其设置在所述第二电极的上方,并且将光转换为电荷,以及 第一电极,其设置在所述第一光电转换膜上, 所述多个像素晶体管包括放大晶体管,所述放大晶体管对所述电荷进行放大并将所述电荷作为像素信号输出,并且 所述放大晶体管的沟道形成区由能够透射光的氧化物半导体层形成, 其中,所述半导体基板包括第二光电转换单元,所述第二光电转换单元将光转换为电荷, 其中,所述控制单元设置在所述第一光电转换单元与所述半导体基板之间, 其中,所述放大晶体管的沟道形成区层叠在所述第二光电转换单元上方。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人索尼公司;索尼半导体解决方案公司,其通讯地址为:日本东京;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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