恭喜南昌大学王启胜获国家专利权
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龙图腾网恭喜南昌大学申请的专利一种红外光电忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510459906.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种红外光电忆阻器及其制备方法是由王启胜;李云东;冷康敏设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外光电忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测技术领域，尤其是涉及一种红外光电忆阻器及其制备方法。包括选取钛酸锶基片进行第一硒化铅膜生长以得到含第一硒化铅膜的钛酸锶基片；对第一硒化铅膜进行光刻刻蚀、敏化处理以得到含第二硒化铅膜的预成品，在其制备电极以得到红外光电忆阻器。基于本发明的制备方法和红外光电忆阻器，可实现红外光电忆阻器的组合阵列，拓展性强。本发明的红外光电忆阻器具有较广的光谱响应范围，可响应光谱范围覆盖可见光波段、短波红外、中波红外。此外本发明还具有低功耗节能特点，在源漏极通入电压脉冲即可改变器件的电导状态。本发明可调电导状态数量多。
本发明授权一种红外光电忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外光电忆阻器制备方法，其特征在于，包括：选取钛酸锶基片进行第一硒化铅膜生长以得到含第一硒化铅膜的钛酸锶基片；对所述第一硒化铅膜进行光刻刻蚀以得到预成品；定义敏化区域，选取所述第一硒化铅膜任一端部的第一区域作为敏化区域；对敏化区域进行敏化处理以得到含第二硒化铅膜的预成品，所述敏化处理包括光刻显影和通入氧等离子体，具体为：在所述第一区域涂上光刻胶后进行光刻显影以得到敏化区域的预成品；将所述预成品放入刻蚀机中依照第一预设条件通入氧等离子体以完成敏化处理过程，其中所述第一预设条件包括：刻蚀机输出功率为75W，通氧等离子体处理时长为600s；根据所述含第二硒化铅膜的预成品制备电极以得到红外光电忆阻器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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