恭喜电子科技大学余承勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种基于准光腔的面外介电常数测试装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119959626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510451191.1，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种基于准光腔的面外介电常数测试装置及方法是由余承勇;卢泓霖;程锦;张云鹏;高冲;龙嘉威;郑虎;李恩设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于准光腔的面外介电常数测试装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于准光腔的面外介电常数测试装置及方法，属于微波、毫米波材料电磁参数测试技术领域。该装置创新性设计腔体形式，通过半球腔替代传统的球形腔，将半球腔放置于金属短路板上，从而构造出金属短路板表面的电场严格垂直于短路面，此时将待测介质基板平整放置于准光腔中心，厚度方向与电场方向相同，即可保证腔内电场垂直分布在介质基板上，实现基于准光腔法对面外介电常数的测试。本发明测试装置能够实现在高频下对介质基板的测试，为高频器件的发展奠定了坚实的基础。
本发明授权一种基于准光腔的面外介电常数测试装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于准光腔的面外介电常数测试装置，其特征在于，包括耦合环馈电单元、半球腔和底座；所述底座为金属平板，其上表面竖直设置半球腔；所述半球腔由两个半球面镜组成，所述半球面镜为常规球面镜的一半，两半球面镜的内凹面相对；半球腔和底座构成改进型双凹准光腔，底座为准光腔的短路面；准光腔的球面的中心处开设耦合孔，用于设置耦合环馈电单元；通过调节耦合环馈电单元中耦合环进入耦合孔的深度，调节耦合量；待测介质基板放置于底座上表面，且待测介质基板中心与准光腔的中心轴线重合，待测介质基板与耦合环所在平面互相垂直，使待测介质基板面外方向与准光腔腔内中心处的电场线方向保持一致。
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