恭喜荣芯半导体(宁波)有限公司周瑞获国家专利权
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龙图腾网恭喜荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种晶圆边缘薄膜层去除宽度的测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119694920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510194374.X,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权一种晶圆边缘薄膜层去除宽度的测量方法是由周瑞;朱华东;朱苗设计研发完成,并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆边缘薄膜层去除宽度的测量方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种晶圆边缘薄膜层去除宽度的测量方法,该测量方法包括:提供形成有衬垫薄膜层和位于衬垫薄膜层上的待监测薄膜层的晶圆;进行去边处理,以露出部分衬垫薄膜层;量测多个测量点处的衬垫薄膜层的厚度并获取每个测量点对应的拟合优度;当拟合优度出现跳变时,则确定待监测薄膜层的边缘介于当前测量点和前一个测量点之间;基于当前测量点的位置信息和或前一个测量点的位置信息,确定待监测薄膜层的实际去除宽度。本申请通过薄膜厚度测量仪量测衬垫薄膜层的厚度并获取对应的拟合优度,通过拟合优度及测量点位置确定待监测薄膜层的实际去除宽度,方法简单、成本较低且准确度较高。
本发明授权一种晶圆边缘薄膜层去除宽度的测量方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆边缘薄膜层去除宽度的测量方法,其特征在于,包括:提供晶圆,所述晶圆上形成有衬垫薄膜层和位于所述衬垫薄膜层上的待监测薄膜层,所述待监测薄膜层为金属层,所述衬垫薄膜层与所述晶圆的边缘基本对齐;去除所述晶圆的四周边缘区域的部分所述待监测薄膜层,以露出部分所述衬垫薄膜层;通过薄膜厚度测量仪自所述晶圆的边缘向所述晶圆的中心区域,或者,通过薄膜厚度测量仪自所述晶圆的中心区域向所述晶圆的边缘,按照预定间隔依次测量多个测量点处的薄膜层的厚度并获取每个所述测量点对应的拟合优度;当当前测量点的拟合优度相比前一个测量点的拟合优度出现跳变时,则确定所述待监测薄膜层的边缘介于所述当前测量点和所述前一个测量点之间,其中,所述拟合优度出现跳变时即说明所述薄膜厚度测量仪检测到了所述待监测薄膜层的相关材质;基于所述当前测量点的位置信息和或所述前一个测量点的位置信息,确定所述待监测薄膜层的实际去除宽度。
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