恭喜西安交通大学张鹏飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种金刚石曲面光学元件及其成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119351983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411902900.5，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种金刚石曲面光学元件及其成型方法是由张鹏飞;王玮;问峰;魏强;张少鹏;焦鸣宇;徐景乐;王宏兴设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石曲面光学元件及其成型方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石曲面光学元件及其成型方法，属于光学元件制备技术领域；所述方法包括：将预先制备好的二硅化钼棒材顶部磨削成目标曲面光学元件的凹面形状；采用金刚石悬浊液对二硅化钼棒材顶部进行植晶处理，然后采用化学气相沉积法生长金刚石薄膜，得到二硅化钼基体；将二硅化钼基体顶部的金刚石薄膜磨削至目标形状，得到磨削好的二硅化钼基体；将磨削好的二硅化钼基体泡入酸腐蚀液中，剥离得到金刚石曲面光学元件。本发明能够解决现有技术中金刚石曲面光学元件的难加工问题，有助于进一步推动金刚石曲面光学元件的应用。
本发明授权一种金刚石曲面光学元件及其成型方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石曲面光学元件的成型方法，其特征在于，包括以下步骤：将预先制备好的二硅化钼棒材顶部磨削成目标曲面光学元件的凹面形状；采用金刚石悬浊液对二硅化钼棒材顶部进行植晶处理，然后采用化学气相沉积法生长金刚石薄膜，得到二硅化钼基体；所述采用化学气相沉积法生长金刚石薄膜的过程中，控制二硅化钼棒材表面温度为900℃~1100℃，生长得到的金刚石薄膜的厚度为20μm~2000μm；将二硅化钼基体顶部的金刚石薄膜磨削至目标形状，得到磨削好的二硅化钼基体；将磨削好的二硅化钼基体泡入酸腐蚀液中，剥离得到金刚石曲面光学元件；所述二硅化钼棒材的制备方法，包括以下步骤：将钼粉、钨粉和硅粉的混合料加入球磨混料机，球磨得到粉体；将聚乙二醇与聚丙烯酰胺加水混合，得到粘结剂；将所述粉体与所述粘结剂混合成泥料，先进行恒温陈腐，然后加入真空练泥机进行练泥，练泥结束后通过挤压成型的方法得到成型棒体；将成型棒体在真空炉中烧结，得到二硅化钼棒材。
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