许凤利获国家专利权
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龙图腾网获悉许凤利申请的专利一种高性能芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411855047.6，技术领域涉及：H01L23/50；该发明授权一种高性能芯片及其制造方法是由许凤利设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种高性能芯片及其制造方法，包括芯片本体，芯片本体包括基板及沿远离基板方向依次增设的器件层、桥连部和IO端口层；器件层上增设有主器件区及辅助器件区；IO端口层包括散热区及端口区，散热区位于IO端口层的中间位置处，端口区呈环状结构并环绕在散热区的外周侧，且端口区处阵列有IO端口；桥连部包括多个层叠在一起的桥接电路层，桥接电路层内增设有用于将主器件和辅助器件连成电路的桥接轨道、连接IO端口的引线，各桥接轨道均覆盖有绝缘层，以使得芯片拥有晶体管的数量更多、发热量更小和散热能力更强。
本发明授权一种高性能芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能芯片，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体包括基板及沿远离所述基板方向依次增设的器件层、桥连部和IO端口层；所述器件层上增设有主器件区及辅助器件区；所述IO端口层包括散热区及端口区，所述散热区位于所述IO端口层的中间位置处，所述端口区呈环状结构并环绕在所述散热区的外周侧，且所述端口区处阵列有IO端口；所述桥连部包括多个层叠在一起的桥接电路层，所述桥接电路层内增设有用于将所述主器件和所述辅助器件连成电路的桥接轨道、连接所述IO端口的引线，各所述桥接轨道均覆盖有绝缘层；靠近所述端口区外周边缘位置处的所述IO端口作为电源端口，并接入有电源引线；位于所述电源端口内周侧且靠近所述电源端口的所述IO端口作为接地端口，并接入有接地引线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人许凤利，其通讯地址为：014030 内蒙古自治区包头市青山区富强路三号街坊楼1栋92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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