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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411651336.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法是由盛况;王珩宇;张弛;程浩远设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法，属于超结MOSFET技术领域，一种超级结沟槽MOSFET结构，包括N+衬底及元胞第一结构和元胞第二结构；其中，元胞第一结构与元胞第二结构皆呈正六边形；元胞第一结构包括第一N柱区及环绕第一N柱区的第一P柱区，第一N柱区上设置有第一源槽；元胞第二结构包括第二N柱区及环绕第二N柱区的第二P柱区，第二N柱区上设置有第二源槽；若干元胞第二结构围绕元胞第一结构；元胞第二结构还包括栅槽，栅槽与第一源槽之间形成有第一沟道，栅槽与第二源槽之间形成有第二沟道，第一沟道与第二沟道的长度不同。本申请通过设置正六边形密铺的元胞结构，且具有非对称的双沟道，不仅提高了沟道密度，也提供了良好的栅氧保护作用。

本发明授权一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结沟槽MOSFET结构，其特征在于，包括N+衬底及设置在所述N+衬底上的元胞第一结构和元胞第二结构；其中，所述元胞第一结构与所述元胞第二结构在俯视面上的形状皆呈正六边形；所述元胞第一结构包括第一N柱区及环绕所述第一N柱区的第一P柱区，所述第一N柱区上设置有第一源槽；所述元胞第二结构包括第二N柱区及环绕所述第二N柱区的第二P柱区，所述第二N柱区上设置有第二源槽；所述元胞第二结构设置有若干个，若干元胞第二结构环绕所述元胞第一结构；所述第一P柱区与所述第二P柱区为一体式结构；所述元胞第二结构还包括栅槽，所述栅槽环绕所述第二源槽，所述栅槽与第一源槽之间形成有第一沟道，所述栅槽与所述第二源槽之间形成有第二沟道，所述第一沟道与所述第二沟道的长度不同；第一沟道的长度指第一源槽与栅槽之间的距离，第二沟道的长度指第二源槽与栅槽之间的距离；所述第一沟道的长度大于所述第二沟道的长度；所述栅槽皆一侧设置于第二P柱区上，另一侧设置于第二N柱区上。

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