瑞能微恩半导体(上海)有限公司季祥获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞能微恩半导体(上海)有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223006768U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422194332.X,技术领域涉及:H01L23/367;该实用新型半导体结构是由季祥设计研发完成,并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了:本申请涉及一种半导体结构,该半导体结构包括基板、芯片、散热结构和第一封装层,其中,芯片设置于基板的厚度方向上的一侧,散热结构设置于芯片背离基板的一侧,基板的外轮廓覆盖并超出散热结构在基板上的正投影。第一封装层设置于芯片背离基板的一侧,第一封装层覆盖芯片和基板设置,并且第一封装层包括第一开口,散热结构暴露于第一开口。在本申请实施例中,该半导体结构能够提高半导体结构的散热能力,保证半导体结构的高效工作。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:基板;芯片,设置于所述基板的厚度方向上的一侧,散热结构,设置于所述芯片背离所述基板的一侧,所述基板的外轮廓覆盖并超出所述散热结构在所述基板的正投影;第一封装层,设置于所述芯片背离所述基板的一侧,所述第一封装层覆盖所述芯片以及所述基板设置且包括第一开口,所述散热结构暴露于所述第一开口。
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