上海芯元基半导体科技有限公司杨磊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223007844U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421923866.5，技术领域涉及：H10H20/858；该实用新型半导体结构是由杨磊;陈朋;魏帅帅;郝茂盛;袁根如;张楠;马后永;马艳红;徐志伟设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体结构，包括：第一外延层，包括第一面和相对的第二面；位于第一外延层的第一面上的量子阱发光层、以及位于量子阱发光层上的第二外延层；散热导电结构，包括若干导电插塞，若干导电插塞贯穿第二外延层、量子阱发光层以及第一外延层，第二外延层表面暴露出若干导电插塞，若干导电插塞与第二外延层电连接，且导电插塞与量子阱发光层以及第一外延层绝缘；位于第一外延层的第二面的第一导电反射层，且第一导电反射层位于若干导电插塞之间，第一导电反射层与散热导电结构绝缘，且与第一外延层电连接；键合于散热导电结构上的导电基板。解决了垂直芯片中电流拥堵发热，以及发光效果变差的问题。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一外延层，包括第一面和相对的第二面；位于所述第一外延层的第一面上的量子阱发光层、以及位于所述量子阱发光层上的第二外延层；散热导电结构，包括若干导电插塞，若干所述导电插塞贯穿所述第二外延层、所述量子阱发光层以及所述第一外延层，所述第二外延层表面暴露出若干所述导电插塞，若干所述导电插塞与所述第二外延层电连接，且所述导电插塞与所述量子阱发光层以及所述第一外延层绝缘；位于所述第一外延层的第二面的第一导电反射层，且所述第一导电反射层位于若干所述导电插塞之间，所述第一导电反射层与所述散热导电结构绝缘，且与所述第一外延层电连接；键合于所述散热导电结构上的导电基板。
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