上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司李佳静获国家专利权
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龙图腾网获悉上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司申请的专利IGBT芯片焊料溢出引流结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223023270U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421963400.8，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型IGBT芯片焊料溢出引流结构是由李佳静;杨龙设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT芯片焊料溢出引流结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种IGBT芯片焊料溢出引流结构，包括：第一引流槽，其围绕芯片的焊接覆铜片布置，其用于容置焊接时溢出外流的焊料；第二引流槽一端连通第一引流槽，自连接第一引流槽位置开始，其沟槽深度逐渐增加，其用于容置第一引流槽流出的焊料。本实用新型的引流槽能利用镭射线刻蚀形成在芯片周围的基板上。为了避免溢出的焊料对芯片性能产生影响，本实用新型设计了围绕在焊接覆铜片四周的第一引流槽，第一引流槽用于收集溢出焊料。在围绕芯片布置的情况下，不会出现任何的焊料泄漏点。本实用新型的第二引流槽用于冗余第一引流槽可能溢出的焊料，即用于防止焊料填满第一引流槽的情况，能避免焊料溢出对器件性能产生影响。
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