北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种具有热稳定性的SiC VDMOSFET结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223024872U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421640677.7，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种具有热稳定性的SiC VDMOSFET结构是由许一力设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有热稳定性的SiC VDMOSFET结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有热稳定性的SiCVDMOSFET结构，包括由若干个VDMOS元胞组成的SiCVDMOSFET结构，所述VDMOS元胞包括漏极、金属源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，所述扩散层通过注入不同浓度磷元素杂质形成包括扩散层一、扩散层二以及扩散层三；所述N阱层包括轻掺杂N阱层一、轻掺杂N阱层二、轻掺杂N阱层三、重掺杂N阱层以及轻掺杂N阱层四。本实用新型通过使用更大体积的P、N阱层材料可以提高MOS器件导通电流的稳定性，并且将部分P、N层材料凸出并没过栅极的设计，即可以减少栅极电场对P、N层中电荷的干预，同时提高该MOS器件的热稳定性。
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