乐山市京运通新材料科技有限公司龚小伦获国家专利权
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龙图腾网获悉乐山市京运通新材料科技有限公司申请的专利一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116200812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211727525.6，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法是由龚小伦;关树军;洪华;路建华;谷建峰设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法，包括装料、化料、引晶、放肩、等径、收尾和停炉，在所述等径操作中出现断线时，包括以下步骤：S1.将真空泵的泵开度打开至100％进行拉晶；S2.在S1步骤的基础上，将氩气的流量设置为120sLmin以上；S3.在S2步骤的基础上，使用10‑160mmmin的速度降低坩埚的锅位；S4.在S3步骤的基础上，将氩气的流量设置为100sLmin；S5.在S4步骤的基础上，将降低坩埚的锅位的速度设置为280mmmin；S6.完成提断后，进行收尾和停炉。本发明通过改进提断方法的顺序以及优化提断时的拉晶速度和提断速度，同时各个步骤依次同时进行，有效降低了底部单晶硅氧化情况的发生，提高了单晶硅循环料品质，节约了清洗成本。
本发明授权一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法在权利要求书中公布了：1.一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法，包括装料、化料、引晶、放肩、等径、收尾和停炉，其特征在于，在所述等径操作中出现断线时，包括以下步骤： S1.将真空泵（16）的泵开度打开至100%进行拉晶； S2.在S1步骤的基础上，将氩气（14）的流量设置为120sLmin以上； S3.在S2步骤的基础上，使用10-160mmmin的速度降低坩埚（12）的锅位，降低坩埚（12）锅位的速度为150mmmin； S4.在S3步骤的基础上，将氩气（14）的流量设置为100sLmin，进行提断，提断速度为4-5mmmin，持续时间为15-30min； S5.在S4步骤的基础上，将降低坩埚（12）的锅位的速度设置为280mmmin，提断速度为5-6mmmin，持续时间为30-60min； S6.完成提断后，进行收尾和停炉。
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