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龙图腾网获悉上海复享光学股份有限公司申请的专利原位等离子体工艺制程监测系统及其监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211623712.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权原位等离子体工艺制程监测系统及其监测方法是由陆祺峰;贺晓龙;沈唐尧;崔靖;殷海玮;方源设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本原位等离子体工艺制程监测系统及其监测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位等离子体工艺制程监测系统及其监测方法，针对不同材质的刻蚀膜层所含的元素，根据NIST数据库获取各元素对应特征谱线的标准波长和强度信息以建立不同刻蚀膜层所对应的模拟光谱库，并将测得的等离子体光谱与模拟光谱库内的模拟光谱初步匹配。对匹配成功的光谱线，从测得的等离子体光谱中提取像素‑强度信息，对峰位拟合得到峰位中心像素值，结合模拟光谱库中已匹配的模拟光谱的标准波长值拟合得到新的光谱仪波长与像素之间的色散关系函数，最后根据新的色散关系函数对反射光谱进行处理以获得准确的反射光波长，进而在对等离子体实时监控中，实现光谱仪的实时波长定标，准确得到反射光波长并准确计算刻蚀速率和刻蚀深度。

本发明授权原位等离子体工艺制程监测系统及其监测方法在权利要求书中公布了：1.一种原位等离子体工艺制程监测方法，其特征在于，包括以下步骤： 选择多个刻蚀膜层，所述刻蚀膜层为已知材质的膜层，多个所述刻蚀膜层的材质不同； 基于刻蚀膜层的材质，从NIST原子分子数据库中获取所述刻蚀膜层中的目标元素的特征谱线的标准波长和强度信息； 在所述目标元素的特征谱线中选取强度较大的多条谱线以建立所述刻蚀膜层所对应的模拟光谱，进而形成不同刻蚀膜层的模拟光谱库； 在对一刻蚀膜层进行刻蚀实时监控的过程中，关闭入射光源并利用光谱仪测量所述一刻蚀膜层的等离子体发射光谱； 基于波长、强度与谱线形状，将所述模拟光谱库中的与所述一刻蚀膜层相对应的模拟光谱与所述等离子体发射光谱进行匹配，确定波长标定特征谱线； 从所述等离子体发射光谱中，提取每个匹配成功的特征峰的像素与强度关系； 将所述等离子体发射光谱中的匹配成功的特征峰进行像素位置与强度的关系拟合以获得所述特征峰的光谱的中心位置像素值； 将多个所述特征峰的中心位置像素值与所述模拟光谱库中相匹配的模拟光谱波长进行拟合获得像素与波长的色散关系函数； 打开入射光源，利用光谱仪测量所述一刻蚀膜层的反射光谱； 基于所述色散关系函数，将所述光谱仪测量的反射光谱的像素值转换成波长值，获得反射光谱波长的标准值； 根据实时定标得到的反射光波长的标准值、所述刻蚀膜层的折射率、以及刻蚀所用时间，实时计算得到刻蚀速率和刻蚀深度。

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