北京北方华创微电子装备有限公司徐奎获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211577254.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺腔室和半导体工艺设备是由徐奎;罗建恒设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺腔室和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、用于产生等离子体的线圈、用于承载晶圆的基座和金属结构件，所述基座和所述金属结构件均设置于所述腔室本体内，所述金属结构件的至少部分与所述腔室本体的内壁相对设置，且所述金属结构件设置于所述基座用于放置所述晶圆的位置的周围或侧方，所述金属结构件与所述基座电连接，以在受到所述等离子体中的离子轰击后在所述腔室本体的内壁形成金属膜。该方案能够解决目前的半导体工艺腔室的产能较低的问题。
本发明授权半导体工艺腔室和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体110、用于产生等离子体的线圈170、用于承载晶圆的基座120和金属结构件130，所述基座120和所述金属结构件130均设置于所述腔室本体110内，所述金属结构件130的至少部分与所述腔室本体110的内壁相对设置，且所述金属结构件130设置于所述基座120用于放置所述晶圆的位置的周围或侧方，所述金属结构件130与所述基座120电连接，以在受到所述等离子体中的离子轰击后在所述腔室本体110的内壁形成金属膜。
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