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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116062681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211515516.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法是由喻磊;何凯旋;朱丽;白建新设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法,其特征在于：它包括以下步骤：（a）选取双抛硅片作为衬底晶圆，在其上制备活动空腔和支撑锚点；（b）在衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆；（c）生长二氧化硅层；（d）二氧化硅刻蚀掩膜层的制作；（e）刻蚀窗口的制备；（f）第一次深硅刻蚀；（g）去除二氧化硅刻蚀掩膜层；（h）第二次深硅刻蚀；（i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜。本发明步骤简单，实施方便，有效的改善或解决了刻蚀释放中的散热问题，保证了深硅刻蚀释放工艺中的完整性。

本发明授权一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法，其特征在于：它包括以下步骤： （a）选取双抛硅片作为衬底晶圆，而后在衬底晶圆上利用光刻、刻蚀制备出一组活动空腔和一组支撑锚点； （b）衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆，并去除SOI晶圆的顶层硅和埋氧层保留衬底层，作为敏感结构层； （c）采用PECVD或者热氧化方法在敏感结构层表面生长二氧化硅层； （d）对（c）中生长的二氧化硅层上采用光刻形成图形化、而后腐蚀其它的二氧化硅层，在敏感结构层上制备出与图形化对应的二氧化硅刻蚀掩膜层，所述的二氧化硅刻蚀掩膜层与活动空腔对应； （e）在敏感结构层上涂抹光刻胶层，光刻胶层覆盖二氧化硅刻蚀掩膜层，而后在光刻胶层表面上采用光刻技术制作图形化，图形化中形成一组刻蚀窗口，该组刻蚀窗口中至少包含有两种宽度的刻蚀窗口，再根据刻蚀窗口向下进行光刻胶层的刻蚀，从而露出敏感结构层表面的硅和二氧化硅刻蚀掩膜层； （f）利用深硅刻蚀根据（e）中制得的刻蚀窗口对敏感结构层的硅进行一定深度的第一次深硅刻蚀； （g）采用二氧化硅刻蚀机沿刻蚀窗口去除二氧化硅刻蚀掩膜层； （h）再次利用深硅刻蚀根据（e）中制得的刻蚀窗口对敏感结构层的硅进行一定深度的第二次深硅刻蚀直至与活动空腔连通； （i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜，完成敏感结构释放; 所述步骤（e）中的一组刻蚀窗口中包括大、中、小三种不同宽度的刻蚀窗口（x、y、z），大宽度刻蚀窗口（x）位于二氧化硅刻蚀掩膜层之上，中宽度刻蚀窗口（y）和小宽度刻蚀窗口（z）位于两个大宽度刻蚀窗口（x）之间，且若干小宽度刻蚀窗口（z）位于两个中宽度刻蚀窗口（y）之间。

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