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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种宽电源电压范围的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115079768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773328.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种宽电源电压范围的带隙基准电路是由张章;任洪涛;张曦;王桉楠;程心;解光军设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽电源电压范围的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽电源电压范围的带隙基准电路。本发明中，包括与电源电压无关的偏置电路、正温度系数电压产生电路和基准电压产生电路，所述与电源电压无关的偏置电路消除电源电压大小对整体电路的影响，为整体电路提供了稳定的偏置电流，所述的正温度系数电压通过两组NPN三极管产生与温度成正比的电压信号，所述基准电压产生电路接收正温度系数电压信号，并产生基准电压，基准电压即不受温度变化的影响，也不受电源电压的影响，得到了高精度、高稳定性的基准电压。

本发明授权一种宽电源电压范围的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种宽电源电压范围的带隙基准电路，其特征在于：所述宽电源电压范围的带隙基准电路包含了正温度系数产生电路、带隙基准电压产生电路和与电源电压无关的偏置电路，所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路含有正温度系数产生电路，包含六个PMOS晶体管MP7-MP12，两个NMOS晶体管MN4和MN5，两个NPN三极管Q1和Q2，以及一个电阻R10，MP7晶体管、MP9晶体管和MP11晶体管的源极连接至电源电压VDD，MP7晶体管、MP9晶体管和MP11晶体管的栅极相连接，MP8晶体管、MP10晶体管和MP12晶体管的栅极相连接，MP7晶体管的漏极连接至MP8晶体管的源极，MP9晶体管的漏极连接至MP10晶体管的源极，MP11晶体管的漏极连接至MP12晶体管的源极，MP8晶体管的漏极连接至三极管Q1的集电极和MN5晶体管的栅极，MP10晶体管的漏极连接至三极管Q2的集电极和MN4晶体管的栅极，MP12晶体管的漏极连接至电阻R10的上端，MN4晶体管的漏极连接至三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极，MN5晶体管的漏极连接至电阻R10的下端，MN4晶体管和MN5晶体管的源极连接至电源GND，所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路含有带隙基准电压产生电路，包含三个PMOS晶体管MP13-MP15，四个电阻R0-R3，一个NPN三极管Q0，MP13晶体管的源极连接至电源VDD，MP13晶体管的漏极连接至MP14晶体管的源极，MP14晶体管的漏极连接至MP15晶体管的源极和R0电阻的上端，MP14晶体管的漏极电压即为带隙基准电压，MP15晶体管的栅极连接至MN5晶体管的漏极，MP15晶体管的漏极连接至电源GND，R0电阻的下端连接至R1电阻的上端和三极管Q2的基极，R1电阻的下端连接至R2电阻的上端和三极管Q1的基极，R2电阻的下端连接至三极管Q0的基极和三极管Q0的集电极，三极管Q0的发射极连接至R3电阻的上端，R3电阻的下端连接至电源GND，所述的一种宽电源电压范围的带隙基准电路含有偏置电路，包含七个PMOS晶体管MP0-MP6，四个NMOS晶体管MN0-MN3，六个电阻R4-R9，MP0晶体管的源极连接至电源VDD，MP0晶体管的栅极连接至MP0晶体管的漏极、MN0晶体管的漏极，电阻R7的上端和MP2晶体管、MP4晶体管、MP6晶体管、MP8晶体管、MP10晶体管、MP12晶体管、MP14晶体管的栅极，MP1晶体管的源极连接至电源VDD，MP1晶体管的栅极连接至MP2晶体管的漏极、MN1晶体管的漏极、电阻R9的上端和MP3晶体管、MP5晶体管、MP7晶体管、MP9晶体管、MP11晶体管、MP13晶体管的栅极，MP2晶体管的源极连接至MP1晶体管的漏极，MN0晶体管的源极连接至电阻R6的上端，电阻R6的下端连接至电源GND，电阻R7的下端连接至电源GND，MN1晶体管的源极连接至电阻R8的上端，电阻R8的下端连接至电源GND，电阻R9的下端连接至电源GND，MP3晶体管的源极连接至电源VDD，MP3晶体管的漏极连接至MP4晶体管的源极，MP4晶体管的漏极连接至电阻R4的上端和MN3晶体管的栅极，电阻R4的下端连接至MN2晶体管的栅极和MN2晶体管的漏极，MN2晶体管的源极连接至电阻R5的上端和MN3晶体管的源极，电阻R5的下端连接至电源GND，MP5晶体管的源极连接至电源VDD，MP5晶体管的漏极连接至MP6晶体管的源极，MP6晶体管的漏极连接至MN3晶体管的漏极、MN0晶体管的栅极和MN1晶体管的栅极。

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