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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210754053.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板，其中阵列基板包括：衬底基板，包括显示区以及非显示区；第一薄膜晶体管，设置于衬底基板上的显示区内，第一薄膜晶体管具有第一有源层；第二薄膜晶体管，设置于衬底基板上的非显示区内，第二薄膜晶体管具有第二有源层，第一有源层的迁移率小于第二有源层的迁移率；第三薄膜晶体管，设置于衬底基板上的显示区内，第三薄膜晶体管和第一薄膜晶体管在衬底基板上间隔设置，第三薄膜晶体管具有第三有源层，第一有源层的迁移率小于第三有源层的迁移率。本申请的阵列基板中的电路在满足性能需求的情况下具有相对较高的稳定性同时有利于高分辨率和窄边框的实现。

本发明授权阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板，包括显示区以及非显示区； 第一薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的显示区内，所述第一薄膜晶体管具有第一有源层； 第二薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的非显示区内，所述第二薄膜晶体管具有第二有源层，所述第一有源层的迁移率小于所述第二有源层的迁移率；以及 第三薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的显示区内，所述第三薄膜晶体管和所述第一薄膜晶体管在所述衬底基板上间隔设置，所述第三薄膜晶体管具有第三有源层，所述第一有源层的迁移率小于所述第三有源层的迁移率； 其中，所述第二有源层与所述第三有源层同层设置； 所述第一有源层为单层结构，且所述第一有源层包括第一金属氧化物薄膜； 所述第二有源层为双层结构，所述第二有源层包括所述第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜设置于所述第二金属氧化物薄膜上； 所述第三有源层为双层结构，所述第三有源层包括所述第一金属氧化物薄膜和第三金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜设置于所述第三金属氧化物薄膜上； 所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物的材料相同。

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