华中科技大学程晓敏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210333560.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器是由程晓敏;曾运韬;李凯;缪向水设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于晶格匹配的化合物掺杂Ge‑Sb‑Te相变材料和相变存储器，属于微纳米电子技术领域，其化学式为MAxGe‑Sb‑Te1‑x，其中，MA为面心立方结构的高熔点化合物，其熔点大于900K，面心立方结构的高熔点化合物MA与Ge‑Sb‑Te体系晶格匹配，x代表面心立方结构化合物分子数占总分子数的百分比，0x10％，所述MA包括SrS、CaSe、CaS、ScN、ScBi、TiN和HfN的一种或者多种。本发明还提供了包括以上相变材料的相变存储器。本发明的相变材料能同时提高相变存储器的擦写速度和循环性能，提高器件的稳定性，最终全方位地实现改善器件的综合性能。
本发明授权基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料，其特征在于，其化学式为MAxGe-Sb-Te1-x，其中，MA为面心立方结构的高熔点化合物，面心立方结构的高熔点化合物MA以非晶形式均匀分布于晶态Ge-Sb-Te体系相变材料的晶界处，其熔点高于900K，面心立方结构的高熔点化合物MA与Ge-Sb-Te体系晶格匹配，x代表面心立方结构化合物分子数占总分子数的百分比，0x10%，所述MA包括SrS、CaSe、CaS、ScN、ScBi的一种或者多种，面心立方结构的高熔点化合物MA中的M元素和A元素与Ge-Sb-Te体系相变材料中的元素相互独立，无键合，无替位和间隙掺杂，从而能保证相变材料晶化时晶格结构完整，最终能提高器件的循环性能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号