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龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238479.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法是由罗晓菊;王颖慧;焦顺平设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括提供衬底，于衬底的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有开口；将衬底置于氢化物气相外延设备中；于开口内及图形化掩膜层背离衬底的表面形成氮化镓晶种层，氮化镓晶种层包括位于开口内的第一区域及位于图形化掩膜层表面的第二区域，第一区域内的位错密度大于第二区域内的位错密度；刻蚀氮化镓晶种层，去除全部或部分位于第一区域的氮化镓晶种层；向氢化物气相外延设备中通入掺杂气体，以形成掺杂厚膜氮化镓层。该半导体结构的制备方法能够提高掺杂厚膜氮化镓层的晶体质量，有助于后续掺杂厚膜氮化镓层的自动剥离，降低器件串联电阻，增大隧穿电流。

本发明授权半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；并于所述衬底的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有若干个开口； 将形成有所述图形化掩膜层的所述衬底置于氢化物气相外延设备中； 于所述开口内及所述图形化掩膜层背离所述衬底的表面形成氮化镓晶种层，所述氮化镓晶种层包括位于所述开口内的第一区域及位于所述图形化掩膜层背离所述衬底的表面的第二区域，所述第一区域内的位错密度大于所述第二区域内的位错密度； 刻蚀所述氮化镓晶种层，以将位于所述第一区域的所述氮化镓晶种层完全去除，或使得所述氮化镓晶种层位于所述第一区域的厚度小于所述氮化镓晶种层位于所述第二区域的厚度； 向所述氢化物气相外延设备中通入掺杂气体，以形成掺杂厚膜氮化镓层，所述掺杂厚膜氮化镓层填满所述开口并覆盖保留的所述氮化镓晶种层； 于所述开口内及所述图形化掩膜层背离所述衬底的表面形成氮化镓晶种层，包括： 向所述氢化物气相外延设备中通入包括氯化氢及氨气的反应气体，以于所述开口内及所述图形化掩膜层背离所述衬底的表面形成所述氮化镓晶种层； 刻蚀所述氮化镓晶种层，包括： 停止向所述氢化物气相外延设备中通入所述氨气，并持续向所述氢化物气相外延设备中通入所述氯化氢，利用所述氯化氢刻蚀所述氮化镓晶种层。

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