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龙图腾网获悉成都通量科技有限公司申请的专利一种液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114647995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210212152.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法是由江珂;易凯;邓江设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法,包括对结合电化学理论对传统GFET模型进行改进、并引入浓度参数变量的方向，进行再次改进、最后进行验证三个步骤，本发明通过引入电双层电容准确描述液栅中的电极物理效应，首先修正了传统GFET的直流模型，克服了其不能适用于LG‑GFET的弊端，并且结合化学反应平衡原理，推导出检测物浓度对石墨烯掺杂的影响，使用弛豫时间函数拟合检测物浓度与载流子迁移率的的关系，最终建立了浓度相关的LG‑GFET直流模型，提高了模型的应用范围，同时引入检测物浓度作为自变量，使得在检测得到电学信号的同时还可以利用该模型直接得到检测物的浓度，为生物检测领域提高了检测效率。

本发明授权一种液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法在权利要求书中公布了：1.一种液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤一、获取传统的GFET模型，并结合电化学理论对获得的传统GFET模型进行修正，采用双电层电容公式代替传统GFET模型中的栅极电容公式，即得到初步改进的LG-GFET直流模型，所述步骤一中，将得的LG-GFET直流模型与测试结果进行对比验证，若对比验证结果是符合时，即说明得到了准确描述的LG-GFET直流模型，若对比验证结果是不符合时，则再次对传统GFET模型进行修正，直至符合测试的结果； 步骤二、对步骤一中获得的LG-GFET直流模型，引入浓度参数变量的方向，进行再次改进，得到改进后的浓度相关的LG-GFET模型，其中引入浓度参数变量的方向分为检测物浓度对化学平衡反应和检测物浓度对石墨烯载流子迁移率影响两种； 步骤三、对步骤二中得到的改进后的浓度相关的LG-GFET模型进行结果验证，当验证的结果是符合时，即说明得到了改进后的浓度相关的LG-GFET模型，完成对传统的GFET模型的改进作业。

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