恭喜北京北方华创微电子装备有限公司孙诗壮获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其承载装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111561958.4，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权半导体工艺设备及其承载装置是由孙诗壮;叶华;史全宇设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备及其承载装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于工艺腔室以用于承载晶圆，其包括：承载盘、射频结构及控温结构；承载盘层叠设置于射频结构上，并且承载盘用于承载晶圆；射频结构的底部与一升降装置连接，用于在升降的带动下移动至第一位置，以向承载盘加载射频功率；控温结构设置于射频结构的底部，控温结构内容置有流体；当射频结构在升降装置的带动下移动至第二位置时，控温结构与射频结构层叠设置，射频结构用于向控温结构加载射频功率，使流体产生热量以调节承载盘的温度。本申请实施例不仅大幅降低现有技术中静电卡盘的制作难度，而且还能大幅降低应用及维护成本，并且大幅提高承载盘的一致性及稳定性。
本发明授权半导体工艺设备及其承载装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备的承载装置，设置于工艺腔室以用于承载晶圆，其特征在于，包括：承载盘、射频结构及控温结构； 所述承载盘层叠设置于所述射频结构上，并且所述承载盘用于承载所述晶圆； 所述射频结构的底部与一升降装置连接，用于在所述升降装置的带动下移动至第一位置，以向所述承载盘加载射频功率； 所述控温结构设置于所述射频结构的底部，所述控温结构内容置有流体；当所述射频结构在所述升降装置的带动下移动至第二位置时，所述控温结构与所述射频结构层叠设置，所述射频结构用于向所述控温结构加载射频功率，使所述流体产生热量以调节所述承载盘的温度。
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