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龙图腾网恭喜杭州海康存储科技有限公司申请的专利坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111485275.5，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质是由万婷;霍文捷;刘璨;冯星设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质。本申请实施例中，即使在存储设备的读操作中发现通过ECC无法纠正的读错误，也不会盲目地直接将该出现读错误的UECC页所在的目标块标记为坏块，而是通过对UECC页所在的目标字线上的页执行读操作，借助存储设备在对目标字线上的页执行读操作时得到的电压分布数据分析引起上述读错误的因素为永久性因素还是非永久性因素，只有在分析出引起上述读错误的因素为永久性因素时，才会将上述UECC页所处的目标块标记为坏块，避免了正常块被标记成坏块，减少存储空间的浪费，也会提高存储设备的使用寿命。

本发明授权坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种坏块识别方法，其特征在于，该方法应用于主机，包括： 获得存储设备中UECC页的物理块地址PBA；所述UECC页是指在读操作中出现通过错误纠正码ECC无法纠正的读错误的页Page； 向所述存储设备下发针对目标字线WL上的页执行读操作的读命令；所述目标字线为所述物理块地址对应的所述UECC页所在的字线；所述读命令至少携带：所述目标字线上的页在被执行读操作时施加的对应的读参考电压； 获得所述目标字线上的页在被施加对应的读参考电压以执行所述读操作时的电压分布数据；其中，所述电压分布数据是通过将所述目标字线上各页对应的状态分布数据进行合并得到；所述目标字线上的每一页对应的状态分布数据至少包括：所述目标字线上的页被施加的各读参考电压对应的状态数据；所述读参考电压对应的状态数据依据所述目标字线上的页在被施加该读参考电压时该页中基本存储单元的漏极和源极的导通情况确定；所述导通情况包括导通或关断； 依据所述电压分布数据识别所述UECC页所处的物理块Block是否为坏块；其中，在所述识别中，依据电压分布数据确定引起所述读错误的因素是否为被指定的永久性因素，在确定引起所述读错误的因素为被指定的永久性因素时，确定UECC页所处的物理块为坏块，在确定引起所述读错误的因素为非永久性因素时，则继续维持所述物理块为正常块以便正常进行数据读取。

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