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龙图腾网恭喜国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请的专利带隙基准电路及模拟集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114326891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111495929.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权带隙基准电路及模拟集成电路是由刘黎;韩睿设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准电路及模拟集成电路在说明书摘要公布了：本申请公开一种带隙基准电路及模拟集成电路，该带隙基准电路包括电流模式调节器，用于接入电源电压；带隙基准电压产生电路，其电源输入端与电流模式调节器的电源输出端连接；全CMOS带隙核心电路，其电源输入端与电流模式调节器的电源输出端连接，全CMOS带隙核心电路，用于产生带隙基准电流并镜像至带隙基准电压产生电路，以使带隙基准电压产生电路产生带隙基准电压。本申请提高了带隙基准电路的稳定性，并降低了带隙基准电路自身的功耗。

本发明授权带隙基准电路及模拟集成电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括： 电流模式调节器，用于接入电源电压； 带隙基准电压产生电路，其电源输入端与所述电流模式调节器的电源输出端连接； 全CMOS带隙核心电路，其电源输入端与所述电流模式调节器的电源输出端连接，所述全CMOS带隙核心电路，用于产生带隙基准电流并镜像至所述带隙基准电压产生电路，以使所述带隙基准电压产生电路产生带隙基准电压；所述全CMOS带隙核心电路包括： 第一MOS管、第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管均与所述电流模式调节器电连接； 二极管连接的第三MOS管及第四MOS管，所述第三MOS管与所述第一MOS管串联设置，所述第二MOS管与所述第四MOS管串联设置； 第一电阻器，串联设置于所述第一MOS管与所述第三MOS管之间； 第二电阻器，与所述第三MOS管并联设置；所述第三MOS管、所述第一电阻器及所述第二电阻器用于产生带隙基准电流，并通过所述第二MOS管及所述第四MOS管镜像至所述带隙基准电压产生电路，以使所述带隙基准电压产生电路产生带隙基准电压； 所述带隙基准电路还包括： 自偏置运算放大器，所述自偏置运算放大器的第一输入端与所述第一MOS管的漏极连接，所述自偏置运算放大器的第二输入端与所述第二MOS管的漏极连接，所述自偏置运算放大器的输出端与所述电流模式调节器的受控端连接； 所述电流模式调节器包括第一电流调节MOS管、第二电流调节MOS管及第三电流调节MOS管，所述第一电流调节MOS管、所述第二电流调节MOS管的源极均与直流电源连接，所述第一电流调节MOS管的栅极和源极、第二电流调节MOS管的栅极均与所述第三电流调节MOS管的漏极连接，所述第三电流调节MOS管的栅极为所述电流模式调节器的受控端。

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