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龙图腾网恭喜灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种电流复用型宽带低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114221625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111468084.8，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种电流复用型宽带低噪声放大器是由郑锐设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流复用型宽带低噪声放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电流复用型宽带低噪声放大器，外接电源和地，包括：第一PMOS管、电流偏置电路、前级放大器、后级噪声抵消电路和低增益控制通路，第一PMOS管的源极连接电源，栅极连接漏极；电流偏置电路的一端连接第一PMOS管的漏极，另一端连接地；后级噪声抵消电路连接电源、地、总输入端和总输出端，用于抵消后级噪声；所述前级放大器一方面连接电源和地，另一方面连接总输入端、所述第一PMOS管的栅极和所述后级噪声抵消电路，用于实现电路输入级的宽带匹配以及形成前级增益；所述低增益控制通路连接总输入端和总输出端，用于切换高、低增益以及进行低增益分配。本发明能够提供很好的电压余度，并随着工艺、温度和电压变化较小。

本发明授权一种电流复用型宽带低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种电流复用型宽带低噪声放大器，外接电源和地，其特征在于，包括：第一PMOS管11、电流偏置电路12、前级放大器13、后级噪声抵消电路14和低增益控制通路15， 所述第一PMOS管11的源极连接电源，栅极连接漏极； 所述电流偏置电路12的一端连接所述第一PMOS管11的漏极，另一端连接地； 所述后级噪声抵消电路14连接电源、地、总输入端和总输出端，用于抵消后级噪声； 所述前级放大器13一方面连接电源和地，另一方面连接总输入端、所述第一PMOS管11的栅极和所述后级噪声抵消电路，用于实现电路输入级的宽带匹配以及形成前级增益； 所述低增益控制通路15连接总输入端和总输出端，用于切换高、低增益以及进行低增益分配； 所述低增益控制通路15包括：依次串接并构成三级电容分压增益衰减网络的三个电容分压电路， 所述电容分压电路包括第一电容、第二电容、第一开关和第二开关； 所述第一电容的一端连接总输入端或前一个所述电容分压电路的输出端，另一端连接所属的电容分压电路的输出端； 所述第二电容的一端连接所属的电容分压电路的输出端，另一端通过第二开关接地； 所述第一开关的一端连接所属的电容分压电路的输出端，另一端连接总输出端。

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