恭喜浙江艾微普科技有限公司唐云俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江艾微普科技有限公司申请的专利一种沉积均匀的磁控管及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114218625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111438395.X，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权一种沉积均匀的磁控管及其设计方法是由唐云俊;王昱翔设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沉积均匀的磁控管及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沉积均匀的磁控管，包括外磁极磁铁和内磁极磁铁，且外磁极磁铁和内磁极磁铁磁极性相反，外磁极磁铁和内磁极磁铁构成闭合环，此闭合环形成等离子体轨道，所述等离子体轨道中心线的长度L分布随靶材中心距离x的变化为L＝axn，其中a是任意常数，n是变量，所述n值由公式拟合计算获得，本发明能够保证沉积薄膜厚度的均匀性，同时提高靶材腐蚀率并使等离子体环中心线较短。
本发明授权一种沉积均匀的磁控管及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种沉积均匀的磁控管，其特征在于：包括外磁极磁铁和内磁极磁铁，且外磁极磁铁和内磁极磁铁磁极性相反，外磁极磁铁和内磁极磁铁构成闭合环，此闭合环形成等离子体轨道，所述等离子体轨道中心线的长度L分布随靶材中心距离x的变化为L＝axn，其中a是任意常数，n是变量，所述n值由公式 拟合计算获得，n值并不是固定的，随着TSDh的变化而变化，当h值较大时，表明磁控管由中心到边缘，所需磁场强度的变化为接近线性，当h值较小时，表明磁控管由中心到边缘，所需磁场强度在边缘急剧变强。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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