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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111403797.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器是由于业笑;刘忠明;陈龙阳;白世杰设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底内包括有源区；在衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；第一介质墙和第二介质墙交替分布；刻蚀第一介质墙和第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，沟槽间隔设置；在沟槽内，剩余的第一介质墙的高度大于剩余的第二介质墙的高度；刻蚀沟槽内剩余的第二介质墙，在沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；第一接触孔暴露有源区。本申请能够以较少的光罩次数形成新颖的半导体结构，以进行金属布线。

本发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底；所述衬底内包括有源区； 在所述衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；所述第一介质墙和所述第二介质墙交替分布； 刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，所述沟槽间隔设置；在所述沟槽内，剩余的所述第一介质墙的高度大于剩余的所述第二介质墙的高度； 刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；所述第一接触孔暴露所述有源区；所述第一介质墙的材料为氮化硅，所述第二介质墙的材料为氧化硅，所述沟槽内剩余的所述第一介质墙的高度占所述沟槽深度的四分之三； 其中，所述刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔，包括： 在所述沟槽上沉积第三阻挡层； 在所述第三阻挡层上形成第二掩膜；所述第二掩膜包括间隔设置的第二刻蚀图形； 沿所述第二刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第三阻挡层，将所述沟槽内剩余的所述第二介质墙刻蚀形成间隔设置的所述第一接触孔；所述第二刻蚀图形为所述第二掩膜上的凹孔，所述凹孔与所述沟槽内剩余的所述第二介质墙的方格孔对齐。

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