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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111347523.X，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组是由徐苗;陈禧;周雷;陈子楷;庞佳威;李洪濛设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组。该方法包括：在透明基底上形成透明导电层；在透明导电层上形成种子层，种子层部分覆盖透明导电层；在透明导电层上形成挡墙；其中，挡墙部分覆盖透明导电层，沿透明导电层的水平方向，挡墙包围种子层；沿透明导电层的厚度方向，挡墙的高度大于种子层的高度；在种子层远离透明导电层的一侧形成电极；其中，沿透明导电层的厚度方向，电极远离透明导电层的表面到透明导电层的距离大于或等于挡墙远离透明导电层的表面到透明导电层的距离；隔断不同的种子层覆盖的透明导电层连通部分的透明导电层。本方案实现了在保证LED基板具有低电阻率的特性的同时，简化了LED基板的制作工艺。

本发明授权LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组在权利要求书中公布了：1.一种LED基板的制作方法，其特征在于，包括： 在透明基底上形成透明导电层； 在所述透明导电层上形成种子层，所述种子层部分覆盖所述透明导电层； 在所述透明导电层上形成挡墙；其中，所述挡墙部分覆盖所述透明导电层，沿所述透明导电层的水平方向，所述挡墙包围所述种子层；沿所述透明导电层的厚度方向，所述挡墙的高度大于所述种子层的高度； 在所述种子层远离所述透明导电层的一侧形成电极；其中，沿所述透明导电层的厚度方向，所述电极远离所述透明导电层的表面到所述透明导电层的距离大于或等于所述挡墙远离所述透明导电层的表面到所述透明导电层的距离； 隔断不同的所述种子层覆盖的所述透明导电层连通部分的所述透明导电层； 在所述透明导电层上形成挡墙，包括： 在所述透明导电层上形成负性光刻胶层； 以所述种子层作为掩膜版对所述负性光刻胶层从所述透明基底远离所述负性光刻胶层的一侧进行曝光固化，对所述负性光刻胶层未曝光固化部分进行刻蚀形成所述挡墙； 在所述种子层远离所述透明导电层的一侧形成电极，包括： 对所述透明导电层进行通电，实现对所述透明导电层上的所有种子层进行通电，在所述种子层远离所述透明基底的一侧采用电镀形成所述电极。

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