恭喜杭州大和热磁电子有限公司翟仁爽获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州大和热磁电子有限公司申请的专利一种用于低温制冷的Bi-Sb热电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111306008.7，技术领域涉及：H10N10/853；该发明授权一种用于低温制冷的Bi-Sb热电材料及其制备方法是由翟仁爽;吴永庆;阮炜设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于低温制冷的Bi-Sb热电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及热电材料领域，为解决由于Bi‑Sb材料体系较大的分凝系数，所生产的Bi‑Sb合金往往材料利用率不到10%的问题，本申请提出了一种用于低温制冷的Bi‑Sb热电材料及其制备方法，所述Bi‑Sb热电材料的化学式为Bi0.88‑ xSb0.12Hfx，其中0.001≤x≤0.01，制备得到的Bi‑Sb热电材料，较一般Bi‑Sb合金的材料利用率提高数倍。
本发明授权一种用于低温制冷的Bi-Sb热电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于低温制冷的Bi-Sb热电材料，其特征在于，所述Bi-Sb热电材料的化学式为Bi0.88-xSb0.12Hfx，其中0.001≤x≤0.01。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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