恭喜长鑫存储技术有限公司王路广获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111202026.0，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由王路广设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底以及位于所述衬底内的第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第二凹槽是从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内凹进预设长度；字线层，包括位于所述第二凹槽内的第一子部和位于所述第一凹槽内的第二子部；其中，所述第二子部的侧壁与所述第一凹槽的侧壁之间具有间隙；字线盖层，位于所述第一凹槽内且覆盖所述第二子部；其中，所述字线盖层内具有至少位于所述间隙处的气隙结构。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底以及位于所述衬底内的第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第二凹槽是从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内凹进预设长度； 字线层，包括位于所述第二凹槽内的第一子部和位于所述第一凹槽内的第二子部；其中，所述第二子部的侧壁与所述第一凹槽的侧壁之间具有间隙； 字线盖层，位于所述第一凹槽内且覆盖所述第二子部；其中，所述字线盖层内具有至少位于所述间隙处的气隙结构； 其中，所述字线盖层包括第一子层，位于所述第一子层上的第二子层以及夹设于所述第一子层和所述第二子层之间的所述气隙结构；其中，所述第一子层覆盖所述第一凹槽的侧壁及底表面、且覆盖所述第二子部的侧壁及上表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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