恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947043.0，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法是由何正鸿;徐玉鹏;钟磊;李利设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、焊垫、保护层、金属层和导电凸起，其中，金属层包括粘接层和导电层，通过设置粘接层，并且在粘接层上开设缺口，导电层延伸至缺口内并与焊垫相接触，从而增大了结合面积，进而增大了导电凸起底部金属层的结合强度，能够保证铜柱凸块结合牢固。同时避免了导电凸起与芯片电极直接接触，避免了电极裂开的问题，并且导电层与焊垫之间为分段式接触结构，相较于直接在焊垫上设置导电层，本发明降低了导电层与焊垫的接触面积，从而减弱了电子迁移现象，提升了金属层的电气性能，提升了导电凸起的使用寿命。
本发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括： 芯片基底； 设置在所述芯片基底一侧的焊垫； 设置在所述芯片基底一侧的保护层，所述保护层上设置有与所述焊垫对应的开口，以使所述焊垫暴露于所述保护层； 设置在所述焊垫远离所述芯片基底一侧，并由所述开口延伸至所述保护层表面的金属层； 设置在所述金属层远离所述芯片基底一侧的导电凸起； 其中，所述金属层包括粘接层和导电层，所述粘接层设置在所述焊垫远离所述芯片基底一侧，所述导电层设置在所述粘接层远离所述芯片基底一侧，所述粘接层上设置有多个贯通至所述焊垫的缺口，所述导电层延伸至所述缺口内并与所述焊垫相接触，所述导电凸起与所述导电层电连接； 其中，所述导电凸起的宽度大于所述开口的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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