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龙图腾网恭喜未来宝株式会社申请的专利半导体工程用反应副产物多重捕获装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110815995.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工程用反应副产物多重捕获装置是由赵宰孝;李妍周;金真雄;韩智银设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工程用反应副产物多重捕获装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于：为了利用一个捕获装置对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多重沉积形成不同薄膜层的工程之后排出的未反应气体中包含的混合反应副产物进行分离，通过配备可以为了对各个反应副产物的捕获区域进行分离而在对流入的未反应气体的移动方向流进行控制的同时对热的分布区域进行分离的捕获区域分离部，从而以此为基准在前侧区域通过第一内部捕获塔对在相对高温区域以薄膜形态发生凝聚的反应副产物进行捕获，而在后侧区域通过第二内部捕获塔对在相对低温区域以粉末形态发生凝聚的反应副产物进行捕获的半导体工程用反应副产物多重捕获装置。

本发明授权半导体工程用反应副产物多重捕获装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体工程用反应副产物多重捕获装置，其特征在于： 作为用于对在半导体制造工程中的制程腔体内执行多层薄膜沉积过程之后排出的未反应气体中包含的混合反应副产物进行捕获的装置，包括： 捕获区域分离部3，配置在外壳1的内部，通过利用冷热型加热器2进行加热而对流入的未反应气体的流动进行控制并借此对热的分布区域进行分离； 第一内部捕获塔4，配置在所述捕获区域分离部3的前侧区域，用于对流入的未反应气体中包含的混合反应副产物中在相对高温下发生反应的反应副产物以薄膜形态进行捕获； 第二内部捕获塔5，配置在所述捕获区域分离部3的后侧区域，用于在与前侧区域相比维持较低温度的空间区域对流入的未反应气体中包含的混合反应副产物中在相对低温下发生反应的反应副产物以粉末形态进行捕获；从而在一个装置中分离不同的区域对未反应气体中包含的混合反应副产物进行捕获；以及 流路转换板6，配置在所述捕获区域分离部3的上部，在对经过第二内部捕获塔5之后的气体的流路方向进行转换和延长，从而对未反应气体中包含的剩余反应副产物进行捕获。

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