恭喜钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司卢超群获国家专利权
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龙图腾网恭喜钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司申请的专利晶体管结构及其相关制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110706370.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权晶体管结构及其相关制造方法是由卢超群设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构及其相关制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管结构及其相关制造方法。所述晶体管结构包含一半导体基底、一栅极结构、一信道区、一第一导电区以及一第一隔离区。所述半导体基底具有一半导体表面。所述栅极结构具有一长度。所述第一导电区电耦接所述通道区。所述第一隔离区位于所述第一导电区旁边。所述第一导电区的长度是通过一单一光刻工艺所控制，且所述单一光刻工艺原本是用以定义所述栅极结构的长度。因此，相较于现有技术，本发明可准确控制所述晶体管结构的源极漏极和接触开口的长度以有效缩小所述晶体管结构。
本发明授权晶体管结构及其相关制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制造方法，其中所述晶体管包含一栅极结构以及一第一导电区，其特征在于包含： 在一基底上形成一主动区； 在所述主动区上方形成所述栅极结构和一伪屏蔽栅极结构； 形成一第一隔离区以取代所述伪屏蔽栅极结构； 在所述主动区上方利用所述基底在所述栅极结构和所述第一隔离区之间的表面形成一自对准柱；以及 移除所述自对准柱以在所述栅极结构和所述第一隔离区之间形成一接触孔，并且通过所述接触孔，在所述栅极结构和所述第一隔离区之间形成所述第一导电区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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