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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110715868.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储装置是由福岛崇;佐佐木俊行设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第1导电层及多个第1绝缘层，在与基板的表面交叉的第1方向上交替层叠；第1半导体层，在第1方向上延伸，与多个第1导电层及多个第1绝缘层相对向；第2半导体层，连接于第1半导体层的第1方向上的一端部，在与第1方向交叉的第2方向上延伸；第2绝缘层，覆盖第1半导体层的另一端部的外周面；及第3绝缘层，其在第2方向上的位置与多个第1导电层、多个第1绝缘层及第2绝缘层不同，在第1方向上延伸，在第1方向上的一端处与第2半导体层相接，第1方向上的另一端比第2绝缘层距第2半导体层远。在第2绝缘层的第2方向上的第3绝缘层侧的面设置有金属氧化膜，在多个第1绝缘层的第2方向上的第3绝缘层侧的面没有设置金属氧化膜。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 基板； 多个第1导电层及多个第1绝缘层，其在所述基板的上方，在与所述基板的表面交叉的第1方向上交替层叠； 第2绝缘层，其在所述多个第1导电层及所述多个第1绝缘层的层叠之上； 第1半导体层，其在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层、所述多个第1绝缘层及所述第2绝缘层相对向； 第2半导体层，其被设置作为所述基板的一部分，或者被设置于所述基板与所述多个第1导电层及所述多个第1绝缘层的层叠之间，连接于所述第1半导体层的所述第1方向上的下端部，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；及 第3绝缘层，其在所述第2方向上将所述多个第1导电层、所述多个第1绝缘层及所述第2绝缘层截断，在所述第1方向和第3方向上延伸，在所述第1方向上的下端处与所述第2半导体层相接，所述第3方向与所述第1方向及所述第2方向交叉， 所述第3绝缘层的至少一部分隔着金属氧化膜与所述第2绝缘层接触， 所述多个第1绝缘层的每一个不隔着金属氧化膜与所述第3绝缘层接触。

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