恭喜爱思开海力士有限公司金昞寧获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114360614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110570405.9,技术领域涉及:G11C16/34;该发明授权半导体存储器装置及其操作方法是由金昞寧;金宗佑;辛泳哲设计研发完成,并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括:存储块,其包括在编程操作期间被编程为多个编程状态的多个存储器单元;电压发生器,其被配置为在编程操作期间生成并且向存储块施加编程电压和选择线电压;以及读写电路,其被配置为在编程操作期间临时存储编程数据,并基于临时存储的编程数据来控制存储块的位线的电位。电压发生器在对多个编程状态当中的一些编程状态的第一编程操作期间将选择线电压生成为第一选择线电压,并且在对多个编程状态当中的其余编程状态的第二编程操作期间将选择线电压生成为第二选择线电压,第二选择线电压的电位低于第一选择线电压的电位。
本发明授权半导体存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括: 存储块,所述存储块包括多个漏极选择晶体管以及在编程操作期间编程为多个编程状态的多个存储器单元; 电压发生器,所述电压发生器在所述编程操作期间生成向所述存储块施加的编程电压和选择线电压;以及 读写电路,所述读写电路基于编程数据来向所述存储块的位线施加编程许可电压或编程禁止电压, 其中,所述电压发生器: 在对所述多个编程状态当中的一些编程状态的第一编程操作期间,将所述选择线电压生成为第一选择线电压,并且 在对所述多个编程状态当中的其余编程状态的第二编程操作期间,将所述选择线电压生成为第二选择线电压,所述第二选择线电压的电位低于所述第一选择线电压的电位,并且 其中,所述第一选择线电压和所述第二选择线电压中的每一个大于所述编程许可电压和所述多个漏极选择晶体管的最高阈值电压之和,并且小于所述编程禁止电压和所述多个漏极选择晶体管的最低阈值电压之和。
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