恭喜北京灵汐科技有限公司何伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京灵汐科技有限公司申请的专利存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110513049.7，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权存储阵列是由何伟;祝夭龙设计研发完成，并于2021-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储阵列在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储阵列。该存储阵列包括硅衬底、控制电路，以及至少一层阵列排布的存储器单元；控制电路设置于硅衬底上，至少一层存储器单元层叠设置于硅衬底上或控制电路远离硅衬底的一侧；存储器单元包括选通器；其中，选通器包括二维材料制备的基底。本公开存储阵列通过选用二维材料制备选通器的基底，再由制备的选通器形成存储器单元时，不同的存储器单元可以进行层叠设置。当存储器单元形成存储阵列时，存储阵列可以形成层叠设置的多层阵列排布的存储器单元，从而可以减小包括多层阵列排布的存储器单元的占用面积，实现存储阵列的高度集成。
本发明授权存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列，其特征在于，包括硅衬底、控制电路，以及至少两层阵列排布的存储器单元； 所述控制电路设置于所述硅衬底上，至少两层所述存储器单元层叠设置于所述硅衬底上或所述控制电路远离所述硅衬底的一侧； 所述存储器单元包括选通器； 其中，所述选通器包括二维材料制备的基底，所述二维材料是一种结构有序、在二维平面生长且在不需要层间堆叠的情况下能够实现电导通的材料； 所述存储阵列还包括绝缘层，所述绝缘层设置于相邻两层所述存储器单元之间； 所述存储阵列还包括层选通器，所述层选通器的数量与所述存储器单元的层数相同，每一所述层选通器与一层所述存储器单元串接；所述层选通器用于选通至少两层所述存储器单元中的一层；所述层选通器的结构与所述选通器的结构相同。
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